SI4482DY-T1-GE3 datasheet
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>> SI4482DY-T1-GE3 MOSFET 100V 4.6A 2.5W 60mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4482DY-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 100V 4.6A 2.5W 60mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 100V 4.6A 2.5W 60mohm @ 10V
SI4482DY-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
100 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
4.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
60 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI4482DY-T1-GE3
SI4482DY-T1SOP-8
SI4483ADY
SI4483ADY-T1-E3
SI4483ADY-T1-GE3
SI4483ADY-TI-GE3
供应商
公司名
电话
深圳庞田科技有限公司
13612858787
吴小姐
奥拉斯电气(济宁)有限公司
17753710178
冯
深圳市桂鹏科技有限公司
0755-82810298
田小姐/高先生/李小姐
深圳市德江源电子有限公司
82966416
张先生
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
0755-23603360
江先生
深圳市贸盛微电子有限公司
0755-82208752
周先生
SI4482DY-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,105
3.726
4117.229
2,500
2.76
6900
5,000
2.704
13520
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